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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MR851
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MR851

产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB，共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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MR851概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

MR851规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-201
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
MR850-MR856
3A SCHOTTKY RECTIFIER
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak repetitive reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
Average rectified forward current
(single phase resistive load)
Non-repetitive peak surge current
(surge applied at rated load conditions)
Operating junction temperature range
Storage junction temperature range
Maximum thermal resistance
Junction to ambient
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RSM
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
T
J
T
stg
R
ӨJA
MR850
50
75
35
MR851
100
150
70
MR852
200
250
140
3.0 @ T
A
= 80°C
MR854
400
450
280
MR856
600
650
420
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
°C/W
100
-65 to +125
-65 to +150
28
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Forward voltage
(I
F
= 3.0A, T
J
= 25°C)
Reverse current
(rated dc voltage) T
J
= 25°C
Reverse current
(rated dc voltage) T
J
= 80°C
MR850
MR851
MR852
MR854
MR856
Reverse recovery time
(I
F
= 1.0A to V
R
= 30Vdc)
(I
F
= 15A, di/dt = 10A/µs)
Reverse recovery current
(I
F
= 1.0A to V
R
= 30Vdc)
Note 1: Pulse test: Pulse width = 300µs, duty cycle = 2.0%.
Symbol
V
F
I
R
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ
1.04
2.0
-
60
-
-
100
100
150
-
Max
1.25
10
150
150
200
250
300
200
300
2.0
Unit
V
µA
I
R
µA
t
rr
ns
I
RM(REC)
A
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121128

MR851相似产品对比

MR851 MR850 MR852 MR854 MR856
描述 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron Digitron Digitron
包装说明 O-XALF-W2 DO-201A, 2 PIN DO-201A, 2 PIN DO-201A, 2 PIN DO-201A, 2 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JEDEC-95代码 DO-201 DO-201 DO-201 DO-201 DO-201
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 100 V 50 V 200 V 400 V 600 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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