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MRF750

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF750概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

MRF750规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量5 pF
集电极-发射极最大电压13 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF750文档预览

MRF750
NPN SILICON RF TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .205" 4L PILL
DESCRIPTION:
The
MRF750
is Designed for UHF
Large Signal Amplifier Application from
407 to 512 MHz, and 5.0 to 10 V.
4
A
D
3
2
1
C
FEATURES INCLUDE:
High Power Gain
Infinite VSWR
G
H
B
F
E
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
DIM
A
B
C
D
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
200 mA
13 V
2.5 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +150 C
-65 C to +150 C
28.5 C/W
O
O
O
O
.976 / 24.800
.976 / 24.800
.028 / 0.700
.138 / 3.500
.106 / 2.700
.039 / 1.000
.004 / 0.100
.200 / 5.100
1.00 / 25.400
1.00 / 25.400
.031 / 0.800
.139 / 3.400
.047 / 1.200
.006 / 0.150
.208 / 5.300
E
F
G
H
1 & 3 = EMITTER
2 = BASE
4 = COLLECTOR
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
G
PE
η
I
C
= 10 mA
I
C
= 10 mA
I
E
= 1.0 mA
V
CB
= 9.0 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 7.5 V
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
13
25
4.0
500
UNITS
V
V
V
µ
A
---
I
C
= 50 mA
f = 1.0 MHz
P
out
= 500 mW
fo = 470 MHz
20
70
3.5
5.0
pF
dB
%
V
CC
= 7.5 V
10
55
11
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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