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HYM5V72A214AFG-60

产品描述EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小307KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM5V72A214AFG-60概述

EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

HYM5V72A214AFG-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度32
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.009 A
最大压摆率1.08 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
急问:VHDL在编译顶层电路图的错误问题?
错误如下:Tri-state node must be driven by a TRI buffer, but is driven by primitiveROM代码如下:LIBRARY IEEE;USE IEEE.STD_LOGIC_1164.ALL;ENTITY MODE_CONTROL ISPORT(FZ,FC:IN STD_LOGIC;DIN:IN STD_LOGIC_VECTOR(7 D...
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