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1N26B

产品描述SILICON,K BAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共7页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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1N26B概述

SILICON,K BAND, MIXER DIODE

1N26B规格参数

参数名称属性值
包装说明O-CRMW-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带K BAND
JESD-30 代码O-CRMW-F2
最大噪声指数11 dB
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
脉冲输入最大功率0.075 W
脉冲输入功率最小值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术POINT CONTACT
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
Base Number Matches1
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