Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 128 |
| 座面最大高度 | 4.65 mm |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| KM4164BP-12 | KM4164BP-15 | KM4164BP-10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 120 ns | 150 ns | 100 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm | 19.43 mm | 19.43 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 128 | 128 | 128 |
| 座面最大高度 | 4.65 mm | 4.65 mm | 4.65 mm |
| 最大压摆率 | 0.05 mA | 0.045 mA | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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