Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Intel(英特尔) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | PAGE |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 19.558 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 16 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 128 |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
D2164A-15 | P2164A-20 | D2164A-20 | P2164A-15 | |
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描述 | Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 |
厂商名称 | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) |
零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, | DIP, DIP16,.3 | DIP, |
针数 | 16 | 16 | 16 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE |
最长访问时间 | 150 ns | 200 ns | 200 ns | 150 ns |
其他特性 | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
长度 | 19.558 mm | 19.304 mm | 19.558 mm | 19.304 mm |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 128 | 128 | 128 | 128 |
座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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