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TM4EP72BJN-60

产品描述4MX72 EDO DRAM MODULE, 60ns, PDMA168, MODULE-168
产品类别存储    存储   
文件大小351KB,共22页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TM4EP72BJN-60概述

4MX72 EDO DRAM MODULE, 60ns, PDMA168, MODULE-168

TM4EP72BJN-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N168
JESD-609代码e4
长度133.35 mm
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.53 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.018 A
最大压摆率1.8 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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