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1N4755

产品描述43V,1000mW,Leaded Zener Diodes, Diodes, Single, 10%(suffix\"A\" for 5%), 43V, 6mA, 1000mW, NO
文件大小100KB,共3页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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1N4755概述

43V,1000mW,Leaded Zener Diodes, Diodes, Single, 10%(suffix\"A\" for 5%), 43V, 6mA, 1000mW, NO

1N4755规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码DO-41(G)
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗70 Ω
元件数量1
最高工作温度200 °C
最大功率耗散1 W
标称参考电压43 V
表面贴装NO
最大电压容差10%
工作测试电流6 mA
类别
容差10%(suffix\"A\" for 5%)
VZ (V) nom.43
Condition1_IT (mA)6
PD (mW) max1000
AEC QualifiedNO
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesDO-41

 
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