MBR3035PT: 产品描述30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小190KB，共2页; 制造商Digitron; 官网地址http://www.digitroncorp.com

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MBR3035PT概述

30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247

MBR3035PT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Digitron
Reach Compliance Code	unknow
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.76 V
JEDEC-95代码	TO-218AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	15 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	35 V
最大反向电流	1000 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS

MBR3035PT-MBR3045PT

MAXIMUM RATINGS

Rating

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

Average rectified forward current

(Rated V

)

Peak repetitive forward current

(Rated V

, square wave, 20 kHz)

Peak repetitive reverse surge current

(2.0µs, 1.0 kHz)

Non-repetitive peak surge current

(surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60Hz)

Operating junction temperature range

Storage junction temperature range

Peak surge junction temperature

(forward current applied)

Voltage rate of change

(Rated V

)

Maximum thermal resistance

Junction to case

Junction to ambient

Symbol

RRM

RWM

F(AV)

FRM

RRM

FSM

stg

J(pk)

dv/dt

ӨJC

ӨJA

MBR

3035PT

30 @ T

= 105°C

200

-65 to +150

-65 to +175

175

1000

1.4

3045PT

Unit

30A SCHOTTKY RECTIFIER

°C

V/µs

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Maximum instantaneous forward voltage

= 20A, T

= 125°C)

= 30A, T

= 125°C)

= 30A, T

= 25°C)

Maximum instantaneous reverse current

(Rated dc voltage, T

= 125°C)

(Rated dc voltage, T

= 25°C)

Note 1: Pulse test: Pulse width = 300µs, duty cycle

≤

2.0%.

(1)

Symbol

MBR

3035PT

0.6

0.72

0.76

100

1.0

3045PT

Unit

(1)

MECHANICAL CHARACTERISTICS

Case

Marking

Pin out

TO-218AC

Alpha-numeric

See below

144 Market Street

Kenilworth NJ 07033 USA

phone +1.908.245-7200

fax +1.908.245-0555

sales@digitroncorp.com

www.digitroncorp.com

Rev. 20121205

MBR3035PT相似产品对比

	MBR3035PT	MBR3045PT
描述	30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247	15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Digitron	Digitron
Reach Compliance Code	unknow	unknow
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	CATHODE	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.76 V	0.76 V
JEDEC-95代码	TO-218AC	TO-218AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A
元件数量	2	2
相数	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	15 A	15 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	35 V	45 V
最大反向电流	1000 µA	1000 µA
表面贴装	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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