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SB2100S-TB-LF

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB2100S-TB-LF概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

SB2100S-TB-LF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB220S – SB2100S
Pb
2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features
!
!
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
!
High Current Capability
A
B
!
Low Power Loss, High Efficiency
!
High Surge Current Capability
!
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications

D
A
C
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: DO-41, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.34 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
DO-41
Dim
Min
Max
25.4
A
4.06
5.21
B
0.71
0.864
C
2.00
2.72
D
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SB
220S
20
14
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@T
L
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
SB
230S
30
21
SB
240S
40
28
SB
250S
50
35
2.0
SB
260S
60
42
SB
280S
80
56
SB
2100S
100
70
Unit
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 2.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
JA
T
j
, T
STG
170
0.50
50
0.70
0.5
10
140
45
-65 to +150
0.85
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SB220S – SB2100S
1 of 4
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