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1N5817M-13

产品描述1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5817M-13概述

1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 20 V, 硅, 信号二极管

1N5817M-13规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述玻璃, MELF-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
表面贴装Yes
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
包装材料玻璃
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压20 V
最大平均正向电流1 A

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1N5817M / 1N5818M / 1N5819M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
High Current Capability
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring for Transient Protection
Glass Package for High Reliability
Packaged for Surface Mount Applications
C
A
B
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: MELF, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode band
Approx Weight: 0.25 gram
Mounting Position: Any
Dim
A
B
C
MELF
Min
4.80
2.40
Max
5.20
2.60
0.55 Nominal
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
@T
T
= 90°C (Note 1)
Maximum Forward Surge Current. Half Cycle @60Hz
Superimposed on rated load, JEDEC Method
Maximum Forward Voltage Drop
@ I
F
= 1.0A
@ I
F
= 3.0A
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
F
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
1N5817M
20
14
1N5818M
30
21
1.0
25
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10
130
110
-60 to +125
0.600
0.900
1N5819M
40
28
Units
V
V
A
A
V
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RRM
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Storage and Operating Temperature Range
Notes:
I
R
R
qJA
C
j
T
j
, T
STG
mA
K/W
pF
°C
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Measured at V
R
= 4.0V, f = 1.0MHz.
DS13001 Rev. D-2
1 of 2
1N5817M/1N5818M/1N5819M

1N5817M-13相似产品对比

1N5817M-13 1N5818M-13 1N5819M-13
描述 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
二极管类型 信号二极管 肖特基 肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) - 30V 40V
电流 - 平均整流(Io) - 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf - 550mV @ 1A 600mV @ 1A
速度 - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 - 1mA @ 30V 1mA @ 40V
安装类型 - 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - DO-213AB,MELF(玻璃) DO-213AB,MELF(玻璃)
供应商器件封装 - MELF MELF
工作温度 - 结 - -60°C ~ 125°C -60°C ~ 125°C
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