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MBR1050CT

产品描述10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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MBR1050CT在线购买

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MBR1050CT概述

10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

MBR1050CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流100 µA
反向测试电压50 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
MBR1030CT-MBR1060CT
MAXIMUM RATINGS
Rating
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Operating temperature range
Storage temperature range
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
Unit
10A SCHOTTKY RECTIFIER
30
21
30
35
24.5
35
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
V
V
V
°C
°C
-55 to +150
-55 to +175
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(@ 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Average forward current
Peak forward surge current
Maximum forward voltage drop per element
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT-MBR1060CT
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT-MBR1060CT
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT-MBR1060CT
Pulse test : Pulse width 300µsec, duty cycle 2%.
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
Value
10A
125A
0.70V
0.80V
0.57V
0.65V
0.1mA
15mA
170pF
220pF
Test Condition
T
C
= 105°C
8.3ms, half sine
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at 1.0MHz,
V
R
= 4.0V
V
F
I
R
C
J
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Marking
Pin out
TO-220AB
Alpha-numeric
See below
TO-220AB
Inches
Min
Max
0.570 0.620
0.380 0.405
0.160 0.190
0.025 0.035
0.142 0.147
0.095 0.105
0.110 0.155
0.018 0.025
0.500 0.562
0.045 0.060
0.190 0.210
0.100 0.120
0.080 0.110
0.045 0.055
0.235 0.255
-
0.050
Millimeters
Min
Max
14.480 15.750
9.660 10.280
4.070
4.820
0.640
0.880
3.610
3.730
2.420
2.660
2.800
3.930
0.460
0.640
12.700 14.270
1.150
1.520
4.830
5.330
2.540
3.040
2.040
2.790
1.150
1.390
5.970
6.470
-
1.270
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121128

MBR1050CT相似产品对比

MBR1050CT MBR1045CT MBR1060CT
描述 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,60V V(RRM),TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.8 V 0.7 V 0.8 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 50 V 45 V 60 V
最大反向电流 100 µA 100 µA 100 µA
反向测试电压 50 V 45 V 60 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
包装说明 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
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