0.8 A, 1000 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
0.8 A, 1000 V, 20 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 最小击穿电压 | 1000 V |
| 加工封装描述 | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子涂层 | PURE TIN |
| 端子位置 | SINGLE |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 壳体连接 | DRAIN |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 通道类型 | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
| 最大漏电流 | 0.8000 A |
| 额定雪崩能量 | 80 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 20 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 1.8 A |
| IXTA08N100P | IXTP08N100P | |
|---|---|---|
| 描述 | 0.8 A, 1000 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 0.8 A, 1000 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最小击穿电压 | 1000 V | 1000 V |
| 加工封装描述 | PLASTIC PACKAGE-3 | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 无铅 | Yes | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes | Yes |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子涂层 | PURE TIN | PURE TIN |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 壳体连接 | DRAIN | DRAIN |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 通道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER |
| 最大漏电流 | 0.8000 A | 0.8000 A |
| 额定雪崩能量 | 80 mJ | 80 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 20 ohm | 20 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 1.8 A | 1.8 A |
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