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Am29LV640DU120RZE

产品描述4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA64
产品类别存储   
文件大小992KB,共57页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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Am29LV640DU120RZE概述

4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA64

Am29LV640DU120RZE规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量64
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3.3 V
最小供电/工作电压3 V
最大供电/工作电压3.6 V
加工封装描述13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64
状态Transferred
ypeNOR TYPE
sub_categoryFlash Memories
ccess_time_max120 ns
command_user_interfaceYES
common_flash_interfaceYES
data_pollingYES
jesd_30_codeR-PBGA-B64
存储密度6.71E7 bi
内存IC类型FLASH
umber_of_sectors_size128
位数4.19E6 words
位数4M
操作模式ASYNCHRONOUS
组织4MX16
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeLBGA
ckage_equivalence_codeBGA64,8X8,40
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行PARALLEL
wer_supplies__v_3.3,3/5
gramming_voltage__v_3
qualification_statusCOMMERCIAL
eady_busyYES
seated_height_max1.4 mm
sector_size__words_32K
standby_current_max5.00E-6 Am
最大供电电压0.0300 Am
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子位置BOTTOM
ggle_biYES
length13 mm
width11 mm
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