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SMBJ13M4G

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小353KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SMBJ13M4G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN

SMBJ13M4G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压17.6 V
最小击穿电压14.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
最大重复峰值反向电压13 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CREAT BY ART
SMBJ SERIES
600 Watts Suface Mount Transient Voltage Suppressor
SMB/DO-214AA
Features
For surface mounted application
Low profile package
Built-in strain relief
Glass passivated junction
Excellent clamping capability
Fast response time: Typically less than 1.0ps from
0 volt to BV min
Typical I
R
less than 1uA above 10V
High temperature soldering guaranteed:
260℃ / 10 seconds at terminals
Plastic material used carried Underwriters
Laboratory Flammability Classification 94V-0
600 watts peak pulse power capability with a
10/1000 us waveform
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Terminals: Pure tin plated, lead free
Polarity: Indicated by cathode band except bipolar
Standard packaging: 12mm tape per EIA Std RS-481
Weight: 0.093 gram
Ordering Information (example)
Part No.
SMBJ5.0
Package
SMB
Packing
850 / 7" REEL
Packing
code
R5
Packing code
(Green)
R5G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Peak Power Dissipation at T
A
=25℃, Tp=1ms(Note 1)
Steady State Power Dissipation
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method)(Note 2) - Unidirectional Only
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50 A for
Unidirectional Only (Note 4)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P
PK
P
D
I
FSM
Value
600
3
100
Unit
Watts
Watts
Amps
V
F
R
θJC
R
θJA
T
J
, T
STG
3.5 / 5.0
10
55
-55 to +150
Volts
℃/W
Note 1: Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and Derated above T
A
=25℃ Per Fig. 2
Note 2: Mounted on 10 x 10mm Copper Pads to Each Terminal
Note 3: V
F
=3.5V on SMBJ5.0 thru SMBJ90 Devices and V
F
=5.0V on SMBJ100 thru SMBJ170 Devices
Devices for Bipolar Applications
1. For Bidrectional Use C or CA Suffix for Types SMBJ5.0 through Types SMBJ170
2. Electrical Characterstics Apply in Both Directions
Version:J13
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