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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SB130-A
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SB130-A

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB，共3页
制造商Diodes Incorporated
标准
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SB130-A概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

SB130-A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Bright Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

SB130-A文档预览

SB120 - SB160
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
Surge Overload Rating to 40A Peak
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Applications
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)
A
B
A
C
D
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Case: DO-41 Plastic
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Mounting Position: Any
Ordering Information: See Last Page
Marking: Type Number
Weight: 0.3 grams (approximate)
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Dim
A
B
C
D
DO-41 Plastic
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
¾
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
(See Figure 1)
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage (Note 2)
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)
@ I
F
= 1.0A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
R
qJL
R
qJA
T
j
T
STG
SB120
20
14
SB130
30
21
SB140
40
28
1.0
40
SB150
50
35
SB160
60
42
Unit
V
V
A
A
0.50
0.5
10
15
50
-65 to +125
-65 to +150
0.70
5.0
V
mA
°C/W
°C/W
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes:
-65 to +150
°C
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
DS23022 Rev. 5 - 2
1 of 3
www.diodes.com
SB120-SB160
ã
Diodes Incorporated
10
I
(O),
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
I
F
, INSTANTANEOUS FWD CURRENT (A)
1.0
T
j
= +125
°
C
T
j
= +75
°
C
T
j
= +25
°
C
1.0
T
j
= -25
°
C
0.5
Resistive or Inductive Load
0.375” (9.5mm) lead length
SB120 - SB140
SB150 & SB160
1% Duty Cycle
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
L
, LEAD TEMPERATURE (
°
C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics - SB120 thru SB140
I
FSM
, PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
10
40
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
T
j
= T
j(max)
30
1.0
T
j
= +125ºC
20
T
j
= +25ºC
0.1
10
1% Duty Cycle
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
10
100
V
F
, INSTANTANEOUS FWD VOLTAGE (V)
Fig. 3 Typ. Forward Characteristics - SB150 thru SB160
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 4 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current
10,000
1000
T
j
= 25
°
C
f = 1.0MHz
V
sig
= 50m Vp-p
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
1000
T
j
= +125
°
C
100
SB120 - SB140
T
j
= +75
°
C
100
SB150 - SB160
10
1
T
j
= +25
°
C
0.1
10
0.1
1
10
100
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Total Capacitance
T
j
= -25
°
C
0.01
0
25
50
75
100
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 6 Typical Reverse Characteristics, SB120 thru SB140
DS23022 Rev. 5 - 2
2 of 3
www.diodes.com
SB120-SB160
10,000
1000
T
j
= +125
°
C
100
T
j
= +70
°
C
10
1
T
j
= +25
°
C
0.1
0
50
100
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 7 Typical Reverse Characteristics, SB150 thru SB160
Ordering Information
Device
SB120-A
SB120-B
SB120-T
SB130-A
SB130-B
SB130-T
SB140-A
SB140-B
SB140-T
SB150-A
SB150-B
SB150-T
SB160-A
SB160-B
SB160-T
Notes:
(Note 4)
Packaging
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
DO-41 Plastic
Shipping
5K/Ammo Pack
1K/Bulk
5K/Tape & Reel, 13-inch
5K/Ammo Pack
1K/Bulk
5K/Tape & Reel, 13-inch
5K/Ammo Pack
1K/Bulk
5K/Tape & Reel, 13-inch
5K/Ammo Pack
1K/Bulk
5K/Tape & Reel, 13-inch
5K/Ammo Pack
1K/Bulk
5K/Tape & Reel, 13-inch
4. For packaging details, visit our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf
DS23022 Rev. 5 - 2
3 of 3
www.diodes.com
SB120-SB160
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SB130-A相似产品对比

SB130-A SB120-A SB140-A SB140-B SB150-A
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.7 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 20 V 40 V 40 V 50 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Bright Tin (Sn) Bright Tin (Sn) Bright Tin (Sn) Bright Tin (Sn) Bright Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40

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