IC BUFFER AMPLIFIER, PDSO8, SOIC-8, Buffer Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 25 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 120 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25 µA |
| 最大输入失调电压 | 8000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 负供电电压上限 | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最小输出电流 | 0.05 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 0.7 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 26 mA |
| 供电电压上限 | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm |
| AD9630AR-REEL | AD9630AR | AD9630AN | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC BUFFER AMPLIFIER, PDSO8, SOIC-8, Buffer Amplifier | IC BUFFER AMPLIFIER, PDSO8, SOIC-8, Buffer Amplifier | IC BUFFER AMPLIFIER, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Buffer Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | DIP |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 25 µA | 25 µA | 25 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 120 MHz | 120 MHz | 120 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25 µA | 25 µA | 25 µA |
| 最大输入失调电压 | 8000 µV | 8000 µV | 8000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | 9.88 mm |
| 负供电电压上限 | -7 V | -7 V | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 最小输出电流 | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 220 | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V | +-5 V | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | 5.33 mm |
| 最小摆率 | 0.7 V/us | 0.7 V/us | 0.7 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us | 1200 V/us | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 26 mA | 26 mA | 26 mA |
| 供电电压上限 | 7 V | 7 V | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | 7.62 mm |
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