电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

FHZ5V1D

产品描述Zener Diode, 5.1V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, GLASS, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小316KB,共3页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
下载文档 详细参数 全文预览

FHZ5V1D概述

Zener Diode, 5.1V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, GLASS, MINIMELF-2

FHZ5V1D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码DO-213AA
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗35 Ω
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压5.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差20%
工作测试电流5 mA

文档预览

下载PDF文档
广东肇庆风华新谷微电子有限公司
广东省肇庆市风华路
18
号风华电子工业城三号楼一楼
TEL:0758-2865088 2865091
FAX:0758-2849749
FHZ2V4~FHZ39V
Silicon Z-Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
-tolerance ± 5%
Applications
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Power dissipation
耗散功率
Z-current
稳压电流
Junction temperature
结温
Storage temperature range
储存温度
Test Conditions
R
thJA
<300K/W,
T
amb
=25°C
Type Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
-65...+175
Unit
mW
mA
°C
°C
Maximum Thermal Resistance
Parameter
Test Conditions
Symbol Value Unit
R
thJA
500
K/W
Junction ambient on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
Parameter
Forward voltage
Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit
I
F
=100mA
V
F
1.2
V
Type
V
Znom1)
Test
current
I
ZT
Maximum
zeber
Impedance
Z
ZT
Z
ZK
at
at I
ZT
I
ZK
=1mA
I
R
µA
50
10
Maximum
Reverse
Leakage
Current
Test-Voltage
Volts
1.0
1.0
Forward
Voltage
V
f
at
I
f
=100mA
V
1.2
1.2
Temperature
coefficient
V
FHZ2V4 2.28-2.56
FHZ2V7
2.5-2.9
mA
5
5
Ohm
85
85
Ohm
600
600
%/°C
-0.070
-0.070
Page 0 of 3
*2005
年第
2
版*
All Rights Reserved
Operational amplifier gain stabilityPart 2 DC gain-error analysis
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 13:38 编辑 Operational amplifier gain stabilityPart 2 DC gain-error analysis ...
安_然 模拟与混合信号
零点漂移现象及其产生的原因
一、零点漂移现象及其产生的原因 零点漂移是指当放大电路输入信号为零时,由于受温度变化,电源电压不稳等因素的影响,使静态工作点发生变化,并被逐级放大和传输,导致电路输出端电压偏离原 ......
Jacktang 模拟与混合信号
如何在Setup.dll中获取CAB的文件名和当前路径?
如题...搞了半天没搞出来... 目的在于在安装CAB文件时将自己备份到别的地方....
mikeylover 嵌入式系统
应用高频单片开关芯片设计多组开关稳压电源
1、 性能优异为便携式设备选择拓宽了新途径 多年来,为设计多组开关稳压电源选择性能价格比较高的电源控制芯片,一直是制造业心想事成的问题,这是因为电源控制芯片不是引脚多调试繁多,就是引 ......
zbz0529 电源技术
求控制电路~ 谢谢大家帮忙
求控制电路~ 谢谢大家帮忙 比如一信号从接收到调制 编码 解码等等 求控制此时序电路 有防碰撞最好 感谢啊...
david_yjd 嵌入式系统
STM32F仿真时提示堆栈溢出,怎么办?
我的4LED程序终于是编译通过了,可是我用DEBUG功能仿真运行时系统提示"SatMay3113:34:452008:Thestack'CSTACK'isfilledto100%(2048bytesusedoutof2048).Thewarningthresholdissetto90.% ......
saioooooo stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 614  1032  2442  1387  2598  13  21  50  28  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved