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BZT52C4V3-GS08

产品描述Zener Diode, 4.3V V(Z), 6.9%, 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小232KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZT52C4V3-GS08概述

Zener Diode, 4.3V V(Z), 6.9%, 0.5W,

BZT52C4V3-GS08规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗95 Ω
JESD-609代码e3
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.3 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
最大电压容差6.9%
工作测试电流5 mA

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BZT52-Series
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
Features
• Silicon Planar Power Zener Diodes
• These diodes are also available in other case
styles and other configurations including: the
SOT-23 case with type designation BZX84 series,
the dual zener diode common anode configuration
in the SOT-23 case with type designation AZ23
series and the dual zener diode common cathode
configuration in the SOT-23 case with type desig-
nation DZ23 series.
• The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard.
17431
Mechanical Data
Case:
SOD-123 Plastic case
Weight:
approx. 9.3 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Zener current see table "
Characteristics "
Power dissipation
Power dissipation
1)
2)
Test condition
Symbol
Value
Unit
P
tot
P
tot
500
2)
410
1)
mW
mW
Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm
2
pad areas
Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm
2
pad areas
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to
ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
1)
Test condition
Symbol
R
thJA
T
J
T
S
Value
300
1)
150
- 65 to + 150
Unit
°C/W
°C
°C
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Document Number 85760
Rev. 1.5, 13-Sep-04
www.vishay.com
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