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BZX79C5V6-75B0

产品描述Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小343KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZX79C5V6-75B0概述

Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

BZX79C5V6-75B0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)250
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压5.6 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA

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BZX79C2V0-BZX79C75
500mW,5% Tolerance Zener Diode
Small Signal Diode
DO-35 Axial Lead
HERMETICALLY SEALED GLASS
Features
Wide zener voltage range selection:2.0V to 75V
Vz Tolerance Selection of ±5%
Designed for through-Hole Device Type Mounting
Hermetically Sealed Glass
Pb free version and RoHS compliant
High reliability glass passivation insuring parameter
stability and protection against junction contamination
A
D
C
B
Mechanical Data
Case :DO-35 package (SOD-27)
Lead:Axial leads,solderable per
MIL-STD-202,Method 2025
High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s
Polarity:Indicated by cathode band
Weight : 109±4 mg
Dimensions
A
B
C
D
Unit (mm)
Min
0.45
3.05
1.53
Max
Unit (inch)
Min
Max
0.55 0.018 0.022
5.08 0.120 0.201
2.28 0.060 0.090
25.40 38.10 1.000 1.500
Ordering Information
Part No.
BZX79C2V0-75
BZX79C2V0-75
Package code
A0
R0
Package
DO-35
DO-35
Packing
5Kpcs / Ammo
10Kpcs / 14" Reel
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Type Number
Power Dissipation
Maximum Forward Voltage @I
F
=100mA
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)
Storage Temperature Range
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Symbol
P
D
V
F
RθJA
T
J
,T
STG
Value
500
1.5
300
-65 to + 175
Units
mW
V
°C/W
°C
Zener I vs.V Characteristics
Current
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
I
ZT
V
F
Voltage
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
Forward Region
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
I
ZM
BreakdownRegion
Leakage Region
I
ZM
V
ZM
Version : C11

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