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1N6629

产品描述1.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小406KB,共3页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N6629概述

1.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N6629规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.4 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流2 µA
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N6626 – 1N6631
MAXIMUM RATINGS @ 25°C
Rating
Junction temperature
Storage temperature
Peak forward surge current @ 25°C
1N6626-1N6630
1N6631
Average rectified forward current @ T
L
= 75°C
(2)
1N6626-1N6628
1N6629-1N6631
Average rectified forward current at T
A
= 25°C
(3)
1N6626-1N6628
1N6629-1N6631
Thermal resistance L = 0.375”
Capacitance at V
R
= 10V
Solder temperature
1.75A
1.40A
22°C/W
40pF
260°C for 10 s maximum
2.3A
1.8A
(1)
ULTRA FAST RECTIFIERS
Value
-65° to 150°C
-65° to 175°C
75A
60A
Note 1: Test pulse = 8.3 ms, half-sine wave.
Note 2: Derate linearly at 1.0%/°C for T
L
> 75°.
Note 3: Derate linearly at 0.80%/°C for T
A
> 25°C. This is typical for PC boards where thermal resistance from mounting point to ambient is sufficiently controlled where T
J(max)
is not
exceeded.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Working
peak
reverse
voltage
Type
V
RWM
I
R
= 50μA
V
1N6626
1N6627
1N6628
1N6629
1N6630
1N6631
200
400
600
800
900
1000
V
220
440
660
880
990
1100
V@A
1.35V@2.0A
1.35V@2.0A
1.35V@2.0A
1.40V@1.4A
1.40V@1.4A
1.60V@1.4A
V
F
@ I
F
V@A
1.50V@4.0A
1.50V@4.0A
1.50V@4.0A
1.70V@3.0A
1.70V@3.0A
1.95V@2.0A
T
A
=25°C
μA
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
T
A
=150°C
μA
500
500
500
500
500
600
ns
30
30
30
50
50
60
ns
45
45
45
60
60
80
Minimum
breakdown
voltage
Maximum reverse
current
Max forward voltage
I
R @
V
RWM
Maximum
reverse
recovery
time (low
current)
Maximum
reverse
recovery
time (high
current)
Peak
Recovery
Current
I
RM (rec)
t
rr
Note 1
t
rr
Note 2
I
F
= 2A
100A/μS
Note 2
A
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
Forward
Recovery
Voltage
V
FRM
Max.
I
F
= 0.5A
t
r
= 12ns
V
8
8
8
12
12
20
V
R
Note 1: Low Current Reverse Recovery Time Test Conditions I
F
= 0.5A, I
RM
= 1.0A, I
R(REC)
= 0.25A.
Note 2: High Current Reverse Recovery Time Test Conditions I
F
= 2.0A, 100A/µs, MIL-STD-750, METHOD 4031, CONDITION D.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121120

1N6629相似产品对比

1N6629 1N6626 1N6627 1N6628 1N6630
描述 1.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.75 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.7 V
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1.4 A 1.75 A 1.75 A 1.75 A 1.4 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 800 V 200 V 400 V 600 V 900 V
最大反向电流 2 µA 2 µA 2 µA 2 µA 2 µA
最大反向恢复时间 0.06 µs 0.045 µs 0.045 µs 0.045 µs 0.06 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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