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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N6622
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1N6622

产品描述1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小541KB，共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N6622概述

1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1.2 A, 硅, 整流二极管

1N6622规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N6620 - 1N6625
MAXIMUM RATINGS @ 25°C
Part number
1N6620
1N6621
1N6622
1N6623
1N6624
1N6625
Reverse
voltage
Volts
200
400
600
800
900
1000
Operating
current
(1)
Amps
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
Operating
current
(3)
Amps
1.2
1.2
1.2
1.0
1.0
1.0
Peak forward
surge current
(2)
Amps
20
20
20
20
20
15
R
ӨJL
L = 0.375”
°C/W
38
38
38
38
38
38
°C/W
20
20
20
20
20
20
R
ӨJEC
ULTRA FAST RECTIFIERS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +200°C
Note 1: T
L
= +55°C, L=.375 inch for axial parts. Derate linearly at 0.80%/°C for T
L
>+55°C.
Note 2: Test pulse = 8.3ms, half sine wave.
Note 3: Independent of heatsinking.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
Part
number
Min.
Breakdown
Voltage
V
R
I
R
= 50µA
Volts
Volts @ Amps
Volts @ Amps
Max. Forward Voltage
V
F
@ I
f
Max. D.C. Reverse Current
@ Rated
Reverse Voltage
I
R
T
A
=25°C
µA
T
A
=150°C
µA
Max.
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(Note 1)
ns
Max.
Junction
Capacitance
C
j
V
R
= 10V
pF
Peak
Recovery
Current
I
RM(rec)
I
F
= 2A
100A/µs
Amps
Max.
Forward
Recovery
Voltage V
FRM
I
F
= 0.5A
t
r
= 12ns
Volts
1N6620
1N6621
1N6622
1N6623
1N6624
1N6625
220
440
660
880
990
1100
1.40 @ 1.2
1.40 @ 1.2
1.40 @ 1.2
1.55 @ 1.0
1.55 @ 1.0
1.75 @ 1.0
1.60 @ 2.0
1.60 @ 2.0
1.60 @ 2.0
1.80 @ 1.5
1.80 @ 1.5
1.95 @ 1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
150
150
150
150
150
200
30
30
30
50
50
60
10
10
10
10
10
10
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
12
12
12
18
18
30
Note 1: Reverse Recovery Time Test Conditions: I
F
= 0.5A, I
RM
= 1.0A, i
R(REC)
= 0.25A
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case:
Marking:
Polarity:
Digi A
Body Painted, Alpha Numeric
Cathode Band
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20110930

1N6622相似产品对比

1N6622 1N6620 1N6621 1N6624 1N6625
描述 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V 1.6 V - -
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 - -
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0
最大非重复峰值正向电流 20 A 20 A 20 A - -
元件数量 1 1 1 - -
相数 1 1 1 - -
端子数量 2 2 2 - -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C - -
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C - -
最大输出电流 1.2 A 1.2 A 1.2 A - -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND - -
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM - -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 400 V - -
最大反向电流 0.5 µA 0.5 µA 0.5 µA - -
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs - -
表面贴装 NO NO NO - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE - -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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