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1N6263

产品描述0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小412KB,共3页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N6263概述

0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.015 A, 60 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N6263规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5711, 1N5712 & 1N6263
SCHOTTKY DIODES
For general purpose applications
Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring.
The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices.
MAXIMUM RATINGS @ 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Peak Inverse Voltage
Power Dissipation (Infinite Heatsink)
Maximum Single Cycle Surge 10
μs
Square Wave
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Note 1: Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.
Symbol
1N5711
1N6263
V
RRM
P
tot
l
FSM
R
θJA
T
j
T
S
Value
70
60
400
(1)
2.0
0.3
(1)
125
(1)
-55 to +150
(1)
Unit
V
mW
A
°C/mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
1N5711
1N5712
1N6263
Leakage Current
1N5711, 1N6263
1N5712
Forward Voltage Drop
1N5711, 1N6263
V
F
1N5712
Junction Capacitance
1N5711
1N5712
1N6263
C
tot
V
R
=0V, f=1MHz
V
R
=50V
V
R
= 16V
l
F
=1mA
l
F
=15mA
I
F
= 35mA
V
(BR)R
l
R
=10μA
Symbol
Test Condition
Min
70
20
60
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
-
-
-
200
150
0.41
1.0
1.0
2.0
2.0
2.2
pF
V
V
Unit
l
R
nA
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121128

1N6263相似产品对比

1N6263 1N5711 1N5712
描述 0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.033 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 SIGNAL DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
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