电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5833

产品描述40 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小115KB,共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5833在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5833 - - 点击查看 点击购买

1N5833概述

40 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5

1N5833规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.08 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流20000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5832-1N5834
MAXIMUM RATINGS
Symbol
T
STG
T
J
R
θJC
Parameter
Storage temperature range
Operating junction temperature range
Maximum thermal resistance
Maximum mounting torque
Weight
Value
-65 to +175°C
-65 to +125°C
1.0°C/W junction to Case
30 inch pounds maximum
.54 ounces (15.3 grams) typical
40 AMP SCHOTTKY RECTIFIER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
V
RWM
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
V
FM
V
FM
V
FM
I
RM
I
RM
C
J
Parameter
Working peak reverse voltage
Peak repetitive reverse voltage
Average forward current
Maximum surge current
Maximum peak forward voltage
Maximum peak forward voltage
Maximum peak forward voltage
Maximum peak reverse current
Maximum peak reverse current
Typical junction capacitance
1N5832
20V
20V
40A
800A
.360V
.520V
.980V
150mA
20mA
2200pF
1N5833
30V
30V
40A
800A
.370V
.550V
1.080V
150mA
20mA
2200pF
1N5834
40V
40V
40A
800A
.380V
.590V
1.180V
150mA
20mA
2200pF
T
C
= 100°C, half sine wave, R
θJC
= 1.0°C/W
8.3ms, half sine, T
J
= 125°C
I
FM
= 10A, T
J
= 25°C
I
FM
= 40A, T
J
= 25°C
I
FM
= 125A, T
J
= 25°C
V
RRM
, T
J
= 100°C
V
RRM
, T
J
= 25°C*
T
J
= 25°C, V
R
= 5V
Test Conditions
Pulse test: Pulse width 300 µsec, duty cycle 2%
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Marking
Normal polarity
Reverse polarity
DO-5(R)
Alpha numeric
Cathode is stud
Anode is stud (add “R” suffix)
DO-5(R)
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
¼-28 UNF2A threads
0.669 0.688 16.990 17.480
-
0.794
-
20.160
-
1.000
-
25.400
0.422 0.453 10.720 11.510
0115 0.200 2.920
5.080
-
0.450
-
11.430
0.220 0.249 5.580
6.320
0.250 0.375 6.350
9.530
0.156
-
3.960
-
-
0.667
-
16.940
0.030 0.080 0.760
2.030
0.140 0.175 3.560
4.450
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
P
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121127

1N5833相似产品对比

1N5833 1N5832
描述 40 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 40 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.08 V 0.98 V
JEDEC-95代码 DO-5 DO-5
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 800 A 800 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 40 A 40 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 30 V 20 V
最大反向电流 20000 µA 20000 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1898  168  2108  2309  2221  54  51  15  39  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved