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1N5830

产品描述25 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N5830概述

25 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4

1N5830规格参数

参数名称属性值
厂商名称Digitron
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.77 V
JEDEC-95代码DO-4
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流3000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5829-1N5831
MAXIMUM RATINGS
Symbol
T
STG
T
J
R
θJC
R
θJS
Parameter
Storage temperature range
Operating junction temperature range
Maximum thermal resistance
Typical thermal resistance
Mounting torque
Weight
Value
-65° to +125°C
-65° to +125°C
1.75°C/W junction to case
0.5°C/W junction to sink
15 inch pounds maximum
6 grams (.02 ounces) typical
25 AMP SCHOTTKY RECTIFIERS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
V
RWM
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
V
FM
V
FM
V
FM
I
RM
I
RM
C
J
Characteristic
Working peak reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Maximum surge current
Maximum peak forward voltage
Maximum peak forward voltage
Maximum peak forward voltage
Maximum peak reverse current
Maximum peak reverse current
Typical junction capacitance
1N5829
20V
20V
25A
800A
.360V
.440V
.720V
150mA
3.0mA
1650pF
1N5830
30V
30V
25A
800A
.370V
.460V
.770V
150mA
3.0mA
1650pF
1N5831
40V
40V
25A
800A
.380V
.480V
.820V
150mA
3.0mA
1650pF
T
C
= 97°C, square wave, R
θJC
= 1.75°C/W
8.3ms, half sine, T
J
= 125°C
I
FM
= 10A: T
J
= 25°C*
I
FM
= 25A: T
J
= 25°C*
I
FM
= 78.5A: T
J
= 25°C*
V
RRM
, T
J
= 100°C
V
RRM
, T
J
= 25°C
T
J
= 25°C, V
R
= 5V, f = 1MHz
Test Condition
* Pulse test: Pulse width 300µsec, duty cycle 2%.
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Marking
Normal polarity
Reverse polarity
DO-4(R)
Alpha-numeric
Cathode is stud
Anode is stud (add “R” suffix)
DO-4(R)
Inches
Min
Max
-
0.078
0.422 0.453
-
0.405
-
0.800
0.420 0.440
-
0.250
-
0.424
0.066
-
Millimeters
Min
Max
-
1.981
10.719 11.506
-
10.287
-
20.320
10.668 11.176
-
6.350
-
10.770
1.676
-
A
B
C
D
E
F
G
H
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121127

1N5830相似产品对比

1N5830 1N5831
描述 25 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 25 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
厂商名称 Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.77 V 0.82 V
JEDEC-95代码 DO-4 DO-4
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 800 A 800 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 25 A 25 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V
最大反向电流 3000 µA 3000 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
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