电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5820

产品描述RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5820在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5820 - - 点击查看 点击购买

1N5820概述

RECTIFIER DIODE

整流二极管

1N5820规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.65 V
JEDEC-95代码DO-201
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流1500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5820-1N5822
3 AMP SCHOTTKY RECTIFIER
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Symbol
T
STG
T
J
R
θJL,
L = 3/8”
R
θJL,
L = 0
V
RWM
Characteristics
Storage temperature range
Operating junction temperature range
Maximum thermal resistance
Maximum thermal resistance
Working peak reverse voltage
1N5820
1N5821
1N5822
Repetitive peak reverse voltage
1N5820
1N5821
1N5822
Weight
-55 to + 150°C
-55 to +150°C
52°C/W Junction to lead
28°C/W Junction to case
20V
30V
40V
20V
30V
40V
0.032 ounces (1.0 gram) typical
Value
V
RRM
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
I
F(AV)
T
C
T
L
I
FSM
V
FM
V
FM
V
FM
I
RM
C
J
Parameters
Average forward current
Case temperature
Lead temperature
Maximum surge current
Maximum peak forward voltage
Maximum peak forward voltage
Maximum peak forward voltage
Maximum peak reverse voltage
Typical junction capacitance
*Pulse test: Pulse width 300µsec, duty cycle 2%.
1N5820
3A
115°C
85°C
150A
.36V
.46V
.65V
1.5mA
265pF
1N5821
3A
116°C
86°C
150A
.37V
.48V
.67V
1.5mA
265pF
1N5822
3A
117°C
88°C
150A
.38V
.50V
.70V
1.5mA
265pF
Test Conditions
R
θJL
= 28°C/W, L = 0”
R
θJL
= 52°C/W, L = 3/8”
8.3 ms, half sine, T
J
= 150°C
I
FM
= 1A, T
J
= 25°C*
I
FM
= 3A, T
J
= 25°C*
I
FM
= 9.4A, T
J
= 25°C*
V
RRM
, T
J
= 25°C
V
R
= 5.0V, T
J
= 25°C
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Dimensions
Inches
Min
BD
BL
LD
LL
0.188
0.285
0.046
1.000
Max
0.260
0.375
0.056
-
Millimeters
Min
4.780
7.240
1.170
25.400
Max
6.500
9.520
1.420
-
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20120912

1N5820相似产品对比

1N5820 1N5821 1N5822
描述 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.65 V 0.67 V 0.7 V
JEDEC-95代码 DO-201 DO-201 DO-201
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 20 V 30 V 40 V
最大反向电流 1500 µA 1500 µA 1500 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2825  1511  2761  2446  334  9  42  31  48  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved