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1N5809

产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小544KB,共4页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N5809概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5809规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5802-1N5806
1N5807-1N5811
1N5812-1N5816
MAXIMUM RATINGS
Peak Inverse Voltage
50V
75V
100V
125V
150V
2.5 Amp Series
1N5802
1N5803
1N5804
1N5805
1N5806
2.5 Amp Series
Maximum Average D.C. Output Current
@T
L
=75°C, L=⅜”
@T
C
=100°C
Non-Repetitive Sinusoidal
Surge Current (8.3ms)
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance 2.5A and 6A Series
20A Series
35A
125A
-65°C to +175°C
See Lead Temperature Derating Curve
3.0°C/W
250A
2.5A
6.0A
--
20.0A
6 Amps Series
1N5807
1N5808
1N5809
1N5810
1N5811
6.0 Amp Series
20 Amp Series
1N5812
1N5813
1N5814
1N5815
1N5816
20 Amp Series
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY
2.5 AMP TO 20 AMP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ 25°C unless noted)
PART
NUMBER
MAXIMUM
FORWARD
VOLTAGE
DROP
LEAKAGE
CURRENT @ PIV
MAXIMUM REVERSE
RECOVERY TIME
TYPICAL
FORWARD
RECOVERY
TIME
@ 1A Recover to
1V
PIV
TYPICAL
FORWARD
RECOVERY
VOLTAGE
@1A tr=8ns
TYPICAL
JUNCTION
CAPACITANCE
@ -10V
25°C
100°C
l
F1
l
g1
l
REC
1N5802
1N5803
1N5804
1N5805
1N5806
1N5807
1N5808
1N5809
1N5810
1N5811
1N5812
1N5813
1N5814
1N5815
1N5816
50V
75V
100V
125V
150V
50V
75V
100V
125V
150V
50V
75V
100V
125V
150V
.900 @ 10A
10μA
750μA
35ns, 1.0-1.0-0.1A
15ns
1.5V
200pf
.875 @ 4A
5μA
150μA
30ns, 1.0-1.0-0.1A
15ns
1.5v
45pf
.875 @ 1A
1μA
50μA
25ns, 0.5A-0.5A-
0.05A
15ns
1.5V
15pf
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
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