DIODE RECT STD REC A-PKG
二极管 RECT STD REC A-PKG
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Digitron |
包装说明 | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknow |
应用 | FAST RECOVERY |
最小击穿电压 | 440 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.6 V |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 25 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 400 V |
最大反向电流 | 0.5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.15 µs |
反向测试电压 | 400 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
1N5617 | 1N5615 | BF1211_15 | 1N5621 | 1N5623 | |
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描述 | DIODE RECT STD REC A-PKG | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | N-channel dual-gate MOS-FETs | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Digitron | Digitron | - | Digitron | Digitron |
包装说明 | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 | - | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow | unknow |
应用 | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY | - | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY |
最小击穿电压 | 440 V | 220 V | - | 880 V | 1100 V |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.6 V | 1.6 V | - | 1.6 V | 1.6 V |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 | - | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 25 A | 25 A | - | 25 A | 25 A |
元件数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | - | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | - | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 1 A | 1 A | - | 1 A | 1 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND | ROUND | - | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | - | LONG FORM | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 400 V | 200 V | - | 800 V | 1000 V |
最大反向电流 | 0.5 µA | 0.5 µA | - | 0.5 µA | 0.5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.15 µs | 0.15 µs | - | 0.3 µs | 0.5 µs |
反向测试电压 | 400 V | 200 V | - | 800 V | 1000 V |
表面贴装 | NO | NO | - | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | - | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | - | AXIAL | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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