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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5419
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1N5419

产品描述3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB，共1页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N5419概述

3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5419规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow
应用FAST RECOVERY
最小击穿电压550 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.25 µs
反向测试电压500 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5415 – 1N5420
MAXIMUM RATINGS
PEAK INVERSE VOLTAGE
50V
100V
200V
400V
500V
600V
Maximum Output D.C. Current
@ T
A
=55°C:
@ T
A
=100°C:
TYPE
1N5415
1N5416
1N5417
1N5418
1N5419
1N5420
3.0A
2.0A
80A
-65°C to +175°C
-65°C to +200°C
20°C/W
FAST SWITCHING RECTIFIER
GLASS PASSIVATED
Non-Repetitive Sinusoidal: Surge Current
(8.3ms)
Operating Temperature Range:
Storage Temperature Range:
Thermal Resistance o
Ω
@ L
⅜”
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TYPE
PIV
MINIMUM
REVERSE
BREAKDOWN
VOLTAGE @
50μA
55V
110V
220V
440V
550V
660V
FORWARD
VOLTAGE
MIN.
0.6V
MAX.
1.5V (pk)
1.0μA
@ 9Adc
tp=300μs
20μA
MAXIMUM REVERSE
CURRNET
25°C
100°C
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY TIME
150
150
150
150
250
400
1N5415
1N5416
1N5417
1N5418
1N5419
1N5420
50V
100V
200V
400V
500V
600V
MECHANICAL CHARACTERISTICS
CASE:
MARKING:
POLARITY:
Glass
Body Painted, Alpha Numeric
Cathode Band
Ltr.
Inches
Min
BD
BL
LD
LL
-
-
Max
0.145
0.300
0.040 ± 0.003
0.975
-
Min
-
-
Millimeters
Max
3.680
7.620
1.020 ± 0.0300
24.800
-
Dimensions
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20120705

1N5419相似产品对比

1N5419 1N5415 1N5416 1N5417 1N5418 1N5420
描述 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron Digitron Digitron Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
最小击穿电压 550 V 55 V 110 V 220 V 440 V 660 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A 80 A 80 A 80 A 80 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 500 V 50 V 100 V 200 V 400 V 600 V
最大反向电流 1 µA 1 µA 1 µA 1 µA 1 µA 1 µA
最大反向恢复时间 0.25 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.4 µs
反向测试电压 500 V 50 V 100 V 200 V 400 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL

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