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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4450
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1N4450

产品描述SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB，共3页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
下载文档 详细参数 全文预览

1N4450概述

SILICON, SIGNAL DIODE

1N4450规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
最小击穿电压40 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流0.05 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压30 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N4450
MAXIMUM RATINGS
Rating
Maximum peak reverse voltage
Maximum reverse voltage
Maximum forward DC current
Maximum average forward current
Maximum surge forward current @ t
p
= 1µs
Power dissipation
Maximum junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
RM
V
R
I
F
I
F(AV)
I
FSM
P
D
T
J
T
stg
Value
40
30
250
200
4
500
200
-65 to +200
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
SWITCHING RECTIFIER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C)
Parameter
Reverse current
Forward voltage
V
F
Symbol
I
R
Test Condition
V
R
= 30V
V
R
= 30V, T
J
= 150°C
I
F
= 0.1mA
I
F
= 1.0mA
I
F
= 10mA
I
F
= 50mA
I
F
= 200mA
Reverse breakdown voltage
Diode capacitance
Reverse recovery
V
(BR)R
C
d
t
rr
I
R
= 5µA (pulsed)
f = 1MHz, V
R
= 0
I
F
= 10mA, V
R
= 6V, R
L
= 100Ω
Min
-
-
0.42
0.52
0.64
0.80
-
40
-
-
Max
50
50
0.54
0.64
0.72
0.92
1.00
-
4
4
V
pF
ns
V
Unit
nA
µA
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Marking
Polarity
DO-35
Body painted, alpha-numeric
Cathode band
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121218

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