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1N4295

产品描述10 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N4295概述

10 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-7

1N4295规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
标称参考电压10 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max1.2 mV/°C
最大电压容差2%
工作测试电流10 mA

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N4295(A)
MAXIMUM RATING
Characteristic
Maximum zener current, steady state (T = 75°C, free air)
Maximum steady state power dissipation
75°C, free air
Derate above 75°C
Storage temperature range
Lead temperature 1/16” ± 1/32” from case for 10 s
Value
38mAdc
0.4 watts
4.0mW/°C
-65 to +175°C
230°C
TEMPERATURE COMPENSATED REFERENCE DIODES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Part number
Breakdown
voltage
V
Z
Volts
1N4295
1N4295A
10.0 ± 2%
10.0 ± 1%
Test current
I
T
mAdc
10.0
10.0
Maximum
dynamic
impedance
Ohms
20
20
Temperature
coefficient
range
±%/°C
0. to 0.012
0. to 0.012
Maximum
zener current
mAdc
38
38
Maximum
power
dissipation
Watts
0.40
0.40
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Polarity
Marking
DO-35
Cathode band
Alpha numeric
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121112

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