电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HYMD512M646ALFS8-M

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小263KB,共19页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HYMD512M646ALFS8-M概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200

HYMD512M646ALFS8-M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.16 A
最大压摆率3.32 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
128Mx64 bits
Unbuffered DDR SO-DIMM
HYMD512M646A(L)FS8-J/M/K/H/L
DESCRIPTION
Preliminary
Hynix HYMD512M646A(L)FS8-J/M/K/H/L series is unbuffered 200-pin double data rate Synchronous DRAM Small
Outline Dual In-Line Memory Modules (SO-DIMMs) which are organized as 128Mx64 high-speed memory arrays.
Hynix HYMD512M646A(L)FS8-J/M/K/H/L series consists of eight 128Mx8 DDR MCP SDRAM in FBGA packages on a
200pin glass-epoxy substrate. Hynix HYMD512M646A(L)FS8-J/M/K/H/L series provide a high performance 8-byte
interface in 67.60mmX 31.75mm form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.
Hynix HYMD512M646A(L)FS8-J/M/K/H/L series is designed for high speed of up to 166MHz and offers fully synchro-
nous operations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control
inputs are latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on
both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high
bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable
latencies and burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.
Hynix HYMD512M646A(L)FS8-J/M/K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect
function is implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix
to identify DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.
FEATURES
1GB (128M x 64) Unbuffered DDR SO-DIMM based
on 128Mx8 DDR MCP SDRAM
200-pin small outline dual in-line memory module
(SO-DIMM)
2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply
All inputs and outputs are compatible with SSTL_2
interface
Fully differential clock operations (CK & /CK) with
100MHz/125MHz/133MHz/166MHz
All addresses and control inputs except Data, Data
strobes and Data masks latched on the rising edges
of the clock
Data(DQ), Data strobes and Write masks latched on
both rising and falling edges of the clock
Data inputs on DQS centers when write (centered
DQ)
Data strobes synchronized with output data for read
and input data for write
Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported
Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both
sequential and interleave mode
tRAS Lock-out function supported
Internal four bank operations with single pulsed RAS
Auto refresh and self refresh supported
8192 refresh cycles / 64ms
ORDERING INFORMATION
Part No.
HYMD512M646A(L)FS8-J
HYMD512M646A(L)FS8-M
HYMD512M646A(L)FS8-K
HYMD512M646A(L)FS8-H
HYMD512M646A(L)FS8-L
V
DD
=2.5V
V
DDQ
=2.5V
Power Supply
Clock Frequency
166MHz (*DDR333)
133MHz (*DDR266:2-2-2)
133MHz (*DDR266A)
133MHz (*DDR266B)
100MHz (*DDR200)
Interface
Form Factor
SSTL_2
200pin Unbuffered SO-DIMM
67.6mm x 31.75mm x 1mm
* JEDEC Defined Specifications compliant
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.2 / June 2003
1

HYMD512M646ALFS8-M相似产品对比

HYMD512M646ALFS8-M HYMD512M646ALFS8-H HYMD512M646ALFS8-K HYMD512M646ALFS8-L
描述 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
针数 200 200 200 200
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128MX64 128MX64 128MX64 128MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES
最大待机电流 0.16 A 0.16 A 0.16 A 0.16 A
最大压摆率 3.32 mA 3.32 mA 3.32 mA 2.68 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
移动自主开发滴宽带如何捏
惊闻最近移动交话费送宽带那活动里附送的宽带是移动自家的啦,这么说移动也开始做固网宽带业务了?有人用过介个移动自己的宽带么,感觉好么,可靠么,价钱呢...
迷失的悟空 无线连接
晒用QT实现的---多功能Web查询系统
这是两年之前做了的一个多功能Web查询系统,现在想和大家一起来分享一下!说明一点,本人上传的代码提供“技术支持、免费服务”大家可以去看看代码或者运行一下。。。。还要很多地方需要改进, ......
37°男人 综合技术交流
高速(1M)脉冲信号幅值如何测量
请教各位大侠,怎么测量高速(1M)脉冲信号幅值呢?...
leizi 测试/测量
马达的启动电流波形测量
目的:通常用电流计等进行的测量无法测量瞬态的负载电流变动或启动电流等。但存储记录仪可以与钳形电流传感器搭配从而轻松的利用波形电平进行测量。   要点:   使用钳形电流传感器 ......
bjhyyq 测试/测量
嵌入式学习,嵌入式学习有哪些要素呢
学习,老师是非常关键的环节。对于嵌入式的学习当然也不例外。所以,在嵌入式的学习中,老师是很重要的要素之一。 嵌入式学习,挑选什么样的老师? 双师型老师。具体的来说,一方面,具 ......
myq412 嵌入式系统
我的VS2005怎么突然不能进行C语言级别的调试了,设置断点不会停在断点,老是提示“没有可用于当前位置的源代码。”要我去显示反汇编的代码,这是怎么一回事啊?昨天
我的VS2005怎么突然不能进行C语言级别的调试了,设置断点不会停在断点,老是提示“没有可用于当前位置的源代码。”要我去显示反汇编的代码,这是怎么一回事啊?昨天调试都还是一切好好的,GOOGL ......
chenxiaoang 编程基础

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2902  1987  907  674  729  23  4  5  18  14 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved