K6F2008U2E-EF700,K6F2008U2E-EF700 pdf中文资料,K6F2008U2E-EF700引脚图,K6F2008U2E-EF700电路-Datasheet-电子工程世界

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K6F2008U2E-EF700: 产品描述Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48; 产品类别存储存储; 文件大小175KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6F2008U2E-EF700概述

Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48

K6F2008U2E-EF700规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B36
长度	7 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6 mm

K6F2008U2E-EF700相似产品对比

	K6F2008U2E-EF700	K6F2008U2E-YF550	K6F2008U2E-EF550	K6F2008U2E-YF700
描述	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48	Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32	Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	TSOP1	BGA	TSOP1
包装说明	VFBGA,	TSOP1,	VFBGA,	TSOP1,
针数	36	32	36	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	55 ns	55 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32
长度	7 mm	11.8 mm	7 mm	11.8 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	36	32	36	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	TSOP1	VFBGA	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1.2 mm	1 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	0.75 mm	0.5 mm	0.75 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL
宽度	6 mm	8 mm	6 mm	8 mm

K6F2008U2E-EF700

K6F2008U2E-EF700概述

K6F2008U2E-EF700规格参数

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