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KM41C258Z-8: 产品描述Static Column DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PZIP16, PLASTIC, ZIP-16; 产品类别存储存储; 文件大小56KB，共1页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM41C258Z-8概述

Static Column DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PZIP16, PLASTIC, ZIP-16

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	ZIP
包装说明	ZIP, ZIP16,.1
针数	16
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	STATIC COLUMN
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PZIP-T16
JESD-609代码	e0
长度	20.575 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	16
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP16,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
座面最大高度	8.26 mm
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2.96 mm

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