1N4454: 产品描述0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小109KB，共2页; 制造商Digitron; 官网地址http://www.digitroncorp.com

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1N4454概述

0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 75 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N4454规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Digitron
包装说明	O-XALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
应用	GENERAL PURPOSE
最小击穿电压	75 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	4 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	0.1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向电流	0.1 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs
反向测试电压	50 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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DIGITRON SEMICONDUCTORS

1N3064, 1N4305, 1N4454

SWITCHING RECTIFIERS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Maximum working inverse voltage

Average rectified current

Forward current steady state

Recurrent peak forward current

Peak forward surge current

Pulse width = 1.0s

Pulse width = 1.0µs

Power dissipation

Maximum total dissipation

Linear derating factor (from 25°C)

Storage temperature range

Maximum junction temperature

Lead temperature

Symbol

WIV

f(surge)

Value

100

300

400

1.0

4.0

500

3.33

-65 to +200

+175

+260

Unit

stg

mW/°C

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Forward voltage

0.610

0.550

0.505

0.700

3.0

0.710

0.650

0.575

1.000

0.850

0.1

100

2.0

4.0

2.0

= 2.0mA

= 1.0mA

= 250µA

= 10mA

= 50V

= 50V, T

= 150°C

= 5.0µA

= 10mA, V

= 6.0V, R

= 100Ω

= I

= 10mA, V

= 1.0V, R

= 100Ω

= I

= 10mA, V

= 1.0V R

= 100Ω

= I

= 10mA, V

= 1.0V R

= 100Ω

= 0, f = 1.0MHz

f = 1.0MHz

Symbol

Min

Max

Unit

Test Condition

1N3064

1N4454

1N4305

Reverse current

Breakdown voltage

Reverse recovery time

(1)

1N4305

1N3064

1N4305

1N4454

Capacitance

Rectification efficiency

(2)

Typical forward voltage temperature coefficient

µA

ΔV

/°C

mV/°C

Note 1: Recovery to 1.0mA

Note 2: Rectification efficiency is defined as the ratio of dc load voltage to peak rf input voltage to the detector circuit, measured with 2.0V rms input to the circuit. Load

resistance 5.0Ω, load capacitance 20pF.

144 Market Street

Kenilworth NJ 07033 USA

phone +1.908.245-7200

fax +1.908.245-0555

sales@digitroncorp.com

www.digitroncorp.com

Rev. 20121218

1N4454相似产品对比

	1N4454	1N4305
描述	0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	SILICON, SIGNAL DIODE
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Digitron	Digitron
包装说明	O-XALF-W2	O-XALF-W2
Reach Compliance Code	unknow	unknow
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
最小击穿电压	75 V	75 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	0.85 V
JEDEC-95代码	DO-35	DO-35
JESD-30 代码	O-XALF-W2	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	4 A	4 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C
最大输出电流	0.1 A	0.1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W	0.5 W
最大重复峰值反向电压	50 V	50 V
最大反向电流	0.1 µA	0.1 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs
反向测试电压	50 V	50 V
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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