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1N4150

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小115KB,共2页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N4150概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N3600, 1N4150
MAXIMUM RATINGS @ 25°C
Operating junction and storage temperature range
Operating current
Derating current
Forward surge current
-65° to 175°C
300mA @ T
A
= 25°C
2.0mA dc/°C above T
L
= 75°C @ L = 3/8”
4A (t
p
= 1µs); 0.5A (t
p
= 1s)
SWITCHING RECTIFIER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Breakdown
voltage
V
BR
Part number
I
R
= 10µA
Vdc
1N3600
1N4150
75
75
V
RWM
Working peak
reverse voltage
Reverse
current
I
R1
V
R
= 50Vdc
T
A
= 25°C
V(pk)
50
50
µA dc
0.1
0.1
Reverse
current
I
R2
V
R
= 50Vdc
T
A
= 150°C
µA dc
100
100
Capacitance
C
V
R
= 0,
f = 1MHz
ac signals =
50mV(p-p)
pF
2.5
2.5
Reverse recovery
time
t
rr
I
F
= I
R
= 10 to
100mA dc
R
L
= 100Ω
ns
4
4
FORWARD VOLTAGE LIMITS
V
F1
Limits
I
F
= 1mA dc
Vdc
Minimum
Maximum
0.540
0.620
V
F2
I
F
= 10mA, dc
Vdc
0.660
0.740
V
F3
I
F
= 50mA dc
(pulsed)
Vdc
0.760
0.860
V
F4
I
F
= 100 mA dc
(pulsed)
Vdc
0.820
0.920
V
F5
I
F
= 200mA dc
(pulsed)
Vdc
0.870
1.000
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case:
Marking:
Polarity:
DO-35
Body painted, alpha-numeric
Cathode band
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121211

1N4150相似产品对比

1N4150 1N3600
描述 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron
Reach Compliance Code unknow unknow
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