P4C163L-35CMB,P4C163L-35CMB pdf中文资料,P4C163L-35CMB引脚图,P4C163L-35CMB电路-Datasheet-电子工程世界

P4C163L-35CMB: 产品描述Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小85KB，共8页; 制造商Pyramid Semiconductor Corporation; 官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/

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P4C163L-35CMB概述

Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

P4C163L-35CMB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	36.449 mm
内存密度	73728 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX9
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

P4C163L-35CMB相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28	Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	QLCC	DFP	QLCC	DFP	QLCC
包装说明	0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	DIP,	DIP,	QCCN,	DFP,	QCCN,	CERAMIC, DFP-28	0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	25 ns	45 ns	35 ns	35 ns	25 ns	45 ns	45 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T28	R-CDIP-T28	R-CDIP-T28	R-CQCC-N28	R-GDFP-F28	R-CQCC-N28	R-GDFP-F28	R-CQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	QCCN	DFP	QCCN	DFP	QCCN
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	FLATPACK	CHIP CARRIER	FLATPACK	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	5.715 mm	5.715 mm	5.715 mm	1.905 mm	2.286 mm	1.905 mm	2.286 mm	1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	FLAT	NO LEAD	FLAT	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	8.89 mm	9.017 mm	8.89 mm	9.017 mm	8.89 mm
长度	36.449 mm	36.449 mm	36.449 mm	13.97 mm	-	13.97 mm	-	13.97 mm

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