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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> HIS140
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HIS140

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 40A I(T)RMS, 40000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-218
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小42KB，共1页
制造商Hutson Industries
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HIS140概述

Silicon Controlled Rectifier, 40A I(T)RMS, 40000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-218

HIS140规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hutson Industries
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流40 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流100 mA
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大漏电流0.5 mA
通态非重复峰值电流400 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流40000 A
最高工作温度110 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流40 A
重复峰值关态漏电流最大值500 µA
断态重复峰值电压100 V
重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

HIS140文档预览

MAXIMUM RATINGS
Repetitive Peak Off-State Voltage (1)
Gate open, and Tj = 110° C
RMS On-State Current at TC = 80 ° C
and Conduction Angle of 360°
Peak Surge (Non-Repetitive) On-State
Current, One-Cycle, at 50Hz or 60 Hz
Peak Gate-Trigger Current for 3µsec. Max.
Peak Gate-Power Dissipation at IGT < IGTM
Average Gate-Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range, Tj
SYMBOL VDRM
50
100
200
400
600
DEVICE NUMBERS
HIS025
HIS125
HIS225
HIS425
HIS625
25
250
5
20
0.5
HIS040
HIS140
HIS240
HIS440
HIS640
40
400
5
20
0.5
-40 to +150
-40 to +110
HIS065
HIS165
HIS265
HIS465
HIS665
65
650
5
20
0.5
UNITS
VDRM
VOLT
It(RMS)
ITSM
IGTM
PGM
PG(AV)
Tstg
Toper
AMP
AMP
AMP
WATT
WATT
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
At Specified Case Temperatures
Peak Off-State Current, Gate Open
TC = 110° C VDRM &VRRM = Max. Rating
Maximum On-State Voltage, (PEAK) at
TC=25°C, and IT = Rated Amps
DC Holding Current, Gate Open
and TC = 25°C
Critical Rate-Of-Rise of Off-State Voltage,
Gate Open, TC = 110°C
DC Gate – Trigger Current for Anode Voltage
= 12VDC, RL = 60
Ω
and at TC = 25° C
DC Gate-Trigger Voltage for Anode Voltage =
12VDC, RL = 60
Ω
and at TC = 25°C
Gate-Controlled Turn-on Time for
t D + t R, IGT = 150mA and TC = 25°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case
IDRM
VTM
IHO
Critical
dv/dt
IGT
VGT
Tgt
R
θ
J-C
0.5
1.6
100
200
40
2
2.5
1.1
0.5
1.8
100
200
40
2
2.5
0.95
0.5
1.8
100
200
50
2
2.5
1.0
mA
MAX.
VOLT
MAX
mA
MAX.
V/µsec.
mA
MAX.
VOLT
MAX
µsec.
°C/WATT
TYP
*All Hutson Isolated TO-218 devices are UL Recognized.
UL number E95589 (N)
Note: Add “E” Suffix for Eyelet Leads
SOLID STATE CONTROL DEVICES
39
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