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IDT7174S20Y

产品描述Cache Tag SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28
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文件大小245KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7174S20Y概述

Cache Tag SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28

IDT7174S20Y规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明0.350 INCH, SOJ-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
其他特性MATCH OUTPUT
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度18.42 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.19 A
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度8.89 mm
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