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HYB514405BJL-50

产品描述EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
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文件大小1MB,共25页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB514405BJL-50概述

EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

HYB514405BJL-50规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.27 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.75 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.75 mm

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1M x 4-Bit Dynamic RAM
(Hyper Page Mode (EDO) version)
HYB 514405BJ/BJL-50/-60/-70
Preliminary Information
1 048 576 words by 4-bit organization
0 to 70 ˚C operating temperature
Hyper Page Mode - EDO
Performance:
-50
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
CAS access time
Access time from address
Read/Write cycle time
Hyper page mode (EDO)
cycle time
50
13
25
89
20
Single + 5 V (± 10 %) supply
Low power dissipation
max. 660 mW active (-50 version)
max. 605 mW active (-60 version)
max. 550 mW active (-70 version)
Standby power dissipation:
11 mW max.standby (TTL)
5.5 mW max.standby (CMOS)
1.1 mW max.standby (CMOS) for Low Power Version
Read, write, read-modify write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh,
hidden refresh and test mode capability
All inputs and outputs TTL-compatible
1024 refresh cycles / 16 ms
1024 refresh cycles / 128 ms for Low Power Version
Plastic Packages: P-SOJ-26/20-5 with 300 mil width
Semiconductor Group
1
5.96

HYB514405BJL-50相似产品对比

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描述 EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
针数 20 20 20 20 20 20
Reach Compliance Code not_compliant unknown unknown not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 50 ns 70 ns 60 ns 70 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.27 mm 17.27 mm 17.27 mm 17.27 mm 17.27 mm 17.27 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 3.75 mm 3.75 mm 3.75 mm 3.75 mm 3.75 mm 3.75 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.0002 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.11 mA 0.1 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.75 mm 7.75 mm 7.75 mm 7.75 mm 7.75 mm 7.75 mm
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