HY57V658010ATC-8概述

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V658010ATC-8规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e6
长度	22.22 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HY57V658010ATC-8相似产品对比

	HY57V658010ATC-8	HY57V658010ALTC-10	HY57V658010ALTC-10S	HY57V658010ALTC-10P	HY57V658010ATC-10P	HY57V658010ATC-10S	HY57V658010ALTC-8	HY57V658010ATC-10
描述	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,
针数	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	8 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e6
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

推荐资源

ATmega161特点: ATmega161特点本文很详细的介绍了ATmega161芯片的功能和应用特点...; rain 嵌入式系统

今天我收到小礼品---小音箱: 谢谢电子工程网！...; 80后为我们提建议&公告

【LAUNCHXL-CC2650】LAUNCHXL-CC2650开箱测试: 本帖最后由 a736015 于 2021-4-30 13:04 编辑开发板已于昨天收到，今天发下开箱测试。 CC2650 LaunchPad套件通过SimpleLink超低功耗CC26xx系列设备将轻松的蓝牙低能耗连接到LaunchPad ......; a736015 无线连接

步进电机选择: 金属探测仪驱动导轨应该用什么步进电机啊 ...; HiYoke 电子竞赛

步进电机的单片机控制: 本设计采用凌阳16 位单片机SPCE061A对步进电机进行控制，通过IO口输出的具有时序的方波作为步进电机的控制信号，信号经过芯片L298N驱动步进电机；同时，用 4X4的键盘来对电机的状态进行控制，并 ......; frozenviolet 单片机

如何读取 NI DIO96 中断信号: 我在弄一块DIO96板卡的驱动程序，但是不知道他的中断状态寄存器在哪里？他的板卡使用手册里面只有设置中断允许的寄存器（只写），没有状态寄存器。这种情况下怎么弄呢？卡上有四片8255 一片825 ......; pipingtom 嵌入式系统

450Wh/kg！融捷集团发布第二代硫化物全固态电池

当固态电池行业仍在为电动汽车的“终极方案”进行漫长的技术马拉松时，部分企业已开始寻找更切近的商业化落地场景。近日，融捷集团旗下的融捷能源科技有限公司（以下简称“融捷能源”）正式推出其第二代全固态硫化物电池，能量密度达到450 Wh/kg。固态电池迈向实处，三赛道精准卡位 2025年，全球固态电池产业进入了一个关键的“去芜存菁”阶段。在经历多轮资本与产业的热潮起伏后，市场正...[详细]
保养焊炉，保证质量：回流焊炉膛清理的必要性与方法

回流焊是电子组装生产中的关键工艺之一，而回流焊炉膛的清洁程度对产品的质量具有直接影响。炉膛内的积灰和残留物可能导致不良焊接或短路等问题。因此，定期清理回流焊炉膛是保证生产质量和效率的必要步骤。本文将介绍回流焊炉膛的清理方法。首先，进行安全检查。在清理之前，一定要关闭并断开回流焊炉的电源，以防止意外触电。同时，确保炉膛内温度降至安全范围，以防烫伤。接下来，先进行粗清洁。使用刮刀或金属刷...[详细]
并联逆变器的含义，电流顺时针流动

并联逆变器由两个晶闸管(T1和T2)、一个电容器、中心抽头变压器和一个电感器组成。晶闸管用于提供电流通路，而电感器L用于使电流源恒定。这些晶闸管由连接在它们之间的换向电容器控制导通和关断。并联逆变器是什么意思这互补换向方法用于打开和关闭电容器。互补换向意味着当T1接通时，点火角被施加到T2，然后电容器将关断T1。确切的情况是，当T2开启且点火角施加到T1时，由于电容电压，T2将关闭。输出...[详细]
基于CPLD的LED点阵显示控制器设计

　　场可编程器件(FPGA和 CPLD )等ISP器件无须编程器，利用器件厂商提供的编程套件，采用自顶而下的模块化设计方法，使用原理图或硬件描述语言(VHDL)等方法来描述电路逻辑关系，可直接对安装在目标板上的器件编程。它易学、易用、简化了系统设计，减小了系统规模，缩短设计周期，降低了生产设计成本，从而给电子产品的设计和生产带来了革命性的变化。本文引用地址： https://www.eepw...[详细]
对于纯电动汽车它是否是真的环保

近几年来，很多人都换上了新能源汽车，而这种车也确实受到了大力的追捧，也认为是未来汽车发展的方向，甚至将来会彻底地取代燃油车。但这些不过都是大家看到的表面现象，而事实上的新能源存在的问题还很多，之所以有这么多人选择了这种车，无非就是看上了国家补贴的政策，也就是说没有了这个补贴，或许这种车型也不会有如此快速的发展，但很多人都在怀疑，相比燃油车，这种车真的环保吗？电动汽车发展到现在也有百年的历史...[详细]
专为AI PC应用打造，格科推出高性能图像传感器GC5605

该产品专为AI PC应用打造，具备高分辨率、高动态、超低功耗三大特性，助力AI PC提升视频会议、高清拍摄等应用场景的影像质量；实现智能唤醒、手势控制等更智能的人机交互。 GC5606规格参数 GC5605搭载 GalaxyCell ® 2.0 工艺平台的 1.116μm 像素，针对多种拍摄环境，尤其是暗光场景，显著增强成像细节并有效降低像素暗...[详细]
基于FPGA的便携式逻辑分析仪设计

Logic analyzers are widely used tools in digital design verification and debugging. They can verify the proper functioning of digital circuits and help users identify and troubleshoot faults. They ...[详细]
DMA实现采样数据的直接搬运存储

尝试了下STM32的ADC采样，并利用DMA实现采样数据的直接搬运存储，这样就不用CPU去参与操作了。找了不少例子参考，ADC和DMA的设置了解了个大概，并直接利用开发板来做一些实验来验证相关的操作，保证自己对各部分设置的理解。我这里用了3路的ADC通道，1路外部变阻器输入，另外两路是内部的温度采样和Vrefint，这样就能组成连续的采样，来测试多通道ADC自动扫描了，ADC分规则转换和注入...[详细]
stm32直流电机驱动与测速学习总结

　　通过实验发现，定时器的一个通道控制一个pwm信号。　　在正式开始之前也可以参考这个视频学习资料　　(stm32直流电机驱动) 　　http://www.makeru.com.cn/live/1392_1218.html?s=45051 　　超声波雷达测距仪　　http://www.makeru.com.cn/live/15971_2626.html?s=45051 　　PWM驱动电机不...[详细]
芯对话|CBM108S085破局多通道DAC“同步+精度+低功耗”困局

一、多通道DAC技术瓶颈当前，多通道DAC技术的发展主要聚焦于两大核心难题：一方面，工业场景迫切需要‘多通道同步+高精度’的解决方案，而传统分立方案却因复杂度过高而难以满足需求，例如，在多轴机械臂控制中，需要实现8通道的纳秒级同步输出，分立DAC不仅占用大量PCB面积，还难以有效避免通道间的延迟误差；另一方面，便携式设备面临着‘低功耗’与‘高精度’之间的平衡挑战，如手持测量仪、可穿戴医...[详细]
安全第一！矿用防爆R型隔离变压器教你保护自己！

通常情况下煤矿井下含有瓦斯和煤尘。当瓦斯和煤尘达到一定浓度时，就会发生瓦斯和煤尘爆炸事故。而电气设备在正常运行或故障时就会产生电弧，电弧也是煤矿燃烧煤气和煤尘的主要火源之一。因此，煤矿的电气设备通常都采用矿用防爆R型隔离变压器。矿用防爆电气的设计制造必须符合国家防爆设备标准。防爆设备的总标志是EX。防爆电气设备的类型、类别、级别和组别以及防爆设备的总标志一起，形成防爆标志。除了防爆电源变压器的明...[详细]
因承诺额外投资：消息称美国政府不计划取得台积电、美光股权

8 月 22 日消息，《华尔街日报》当地时间 21 日报道称，美国新一届政府不计划取得半导体晶圆代工巨头台积电和三大存储原厂之一美光的股权，因为这两家此前获得《CHIPS》法案补贴的企业均承诺了在美额外投资。美国商务部长卢特尼克本周早些时候表示，美国政府计划取得英特尔约 10% 的股权，并考虑将这一“补贴转股”模式扩大到其它半导体企业上。不过一位不愿透露姓名的政府官员表示，只有那些未承诺追加投...[详细]
博世发布面向L2+级的新一代SoC（SX600 / SX601）

博世发布新SoC系列以支撑L2+级别的高级驾驶辅助功能，该芯片集成了高分辨率与远距离探测能力，并内置对神经网络推理的支持与车规接口，便于车厂在主流车型上实现自动紧急制动、自适应巡航等功能的升级。图片来源：博世该芯片定位在主流家用轿车和SUV的ADAS平台，可与摄像头、毫米波雷达等传感器融合使用，帮助车企在更广泛的产品线上部署成熟的辅助驾驶功能并提升道路安全准入率。 ...[详细]
吉利发布行业首个AI座舱，明确不再研发传统智能座舱

8月20日，吉利宣布聚焦“一个座舱”，通过统一的AI OS架构、统一的AI Agent、统一的用户ID，实现AI座舱All in One，打造首个“人-车-环境”自主协同的智慧空间，引领智能汽车正式迈入AI座舱时代。图源：吉利同时，吉利宣布将不再开发不具备AI能力的传统智能座舱，并发布全球首个可大规模上车的汽车超拟人智能体——Eva，以及基于5层AI座舱原生架构打造的新一代AI座舱...[详细]
STM32CUBEIDE 报“No such file or directory”错误

在项目中新建一个文件夹，并在文件夹中新建了.h文件。编译出现了如下错误。原因是，没有将新建文件夹包含到编译路径中。项目右键 --properties ----C/C++ General ------Paths and Symbols --------Includes ----------Add ------------WorkSpaces --------------选择自己在项目...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多