MASK ROM, 256KX16, 85ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 85 ns |
其他特性 | TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 16.58 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | MASK ROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.6 mm |
最大待机电流 | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 16.58 mm |
HN62454BNCP-85 | HN62454BNCP-10 | HN62454BNP-85 | HN62454BNP-10 | |
---|---|---|---|---|
描述 | MASK ROM, 256KX16, 85ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | MASK ROM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 | MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | LCC | LCC | DIP | DIP |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ | QCCJ, LDCC44,.7SQ | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 |
针数 | 44 | 44 | 40 | 40 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 85 ns | 100 ns | 85 ns | 100 ns |
其他特性 | TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS | TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS | TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS | TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 | R-PDIP-T40 | R-PDIP-T40 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 16.58 mm | 16.58 mm | 52.8 mm | 52.8 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | MASK ROM | MASK ROM | MASK ROM | MASK ROM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 44 | 44 | 40 | 40 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | QCCJ | DIP | DIP |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ | LDCC44,.7SQ | DIP40,.6 | DIP40,.6 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.6 mm | 4.6 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.00003 A | 0.00003 A | 0.00003 A | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.12 mA | 0.1 mA | 0.12 mA | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 16.58 mm | 16.58 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
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