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MGFC4453A-A13

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGFC4453A-A13概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-3

MGFC4453A-A13规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N6
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压2 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.06 A
最大漏极电流 (ID)0.01 A
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带K BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N6
元件数量1
端子数量6
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.05 W
最小功率增益 (Gp)12 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MGFC4453A-A13相似产品对比

MGFC4453A-A13 MGFC4453A-A03 MGFC4453A-A12 MGFC4453A-A02
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-3 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-3 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-3 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-3
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 DIE DIE DIE DIE
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 UNCASED CHIP, R-XUUC-N6
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 2 V 2 V 2 V 2 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.06 A 0.06 A 0.06 A 0.06 A
最大漏极电流 (ID) 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 K BAND K BAND K BAND K BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N6 R-XUUC-N6 R-XUUC-N6 R-XUUC-N6
元件数量 1 1 1 1
端子数量 6 6 6 6
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.05 W 0.05 W 0.05 W 0.05 W
最小功率增益 (Gp) 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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