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MGBR15L45

产品描述MOS GATED BARRIER RECTIFIER
文件大小125KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MGBR15L45概述

MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
MGBR15L45
MOS GATED BARRIER
RECTIFIER
DESCRIPTION
DIODE
The UTC
MGBR15L45
is a surface mount mos gated barrier
rectifier, it uses UTC’s advanced technology to provide customers
with low forward voltage drop and high switching speed, etc.
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High switching speed
SYMBOL
ORDERING INFORMATION
Package
TO-277
Pin Assignment
1
2
3
A
K
A
Packing
Tape Reel
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
MGBR15L45L-T27-R
MGBR15L45G-T27-R
Note: Pin Assignment: A: Anode K: Common Cathode
MARKING INFORMATION
PACKAGE
MARKING
TO-277
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R601-190.B

MGBR15L45相似产品对比

MGBR15L45 MGBR15L45G-T27-R MGBR15L45L-T27-R
描述 MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - HALOGEN FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 - CATHODE CATHODE
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.6 V 0.6 V
JEDEC-95代码 - TO-277 TO-277
JESD-30 代码 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流 - 180 A 180 A
元件数量 - 1 1
相数 - 1 1
端子数量 - 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 15 A 15 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 45 V 45 V
最大反向电流 - 300 µA 300 µA
表面贴装 - YES YES
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1

 
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