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MGBR10V60C

产品描述DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER
文件大小121KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MGBR10V60C概述

DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MGBR10V60C
Preliminary
DIODE
DUAL MOS GATED BARRIER
RECTIFIER
DESCRIPTION
The UTC
MGBR10V60C
is a dual mos gated barrier rectifiers,
it uses UTC’s advanced technology to provide customers with low
forward voltage drop and high switching speed, etc.
FEATURES
* Very low forward voltage drop
* High switching speed
SYMBOL
ORDERING INFORMATION
Package
TO-220
TO-252
TO-252
Pin Assignment
1
2
3
A
K
A
A
K
A
A
K
A
Packing
Tube
Tube
Tape Reel
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
MGBR10V60CL-TA3-T
MGBR10V60CG-TA3-T
MGBR10V60CL-TN3-T
MGBR10V60CG-TN3-T
MGBR10V60CL-TN3-R
MGBR10V60CG-TN3-R
Note: Pin Assignment: A: Anode K: Common Cathode
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R601-138.a

MGBR10V60C相似产品对比

MGBR10V60C MGBR10V60CG-TN3-T MGBR10V60CL-TN3-T
描述 DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER
厂商名称 - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Code - compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.58 V 0.58 V
JEDEC-95代码 - TO-252 TO-252
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 - 120 A 120 A
元件数量 - 2 2
相数 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 - 60 V 60 V
最大反向电流 - 500 µA 500 µA
表面贴装 - YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
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