电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MGBR10V50G-TA2-T

产品描述MOS GATED BARRIER RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小137KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MGBR10V50G-TA2-T概述

MOS GATED BARRIER RECTIFIER

MGBR10V50G-TA2-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
最小击穿电压50 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流500 µA
反向测试电压50 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MGBR10V50
MOS GATED BARRIER
RECTIFIER
DESCRIPTION
The UTC
MGBR10V50
is a surface mount mos gated barrier
rectifier, it uses UTC’s advanced technology to provide customers
with low forward voltage drop and high current capability, etc.
The UTC
MGBR10V50
suitable for free wheeling, high frequency
inverters, polarity protection, and low voltage.
Preliminary
DIODE
FEATURES
* Very low forward voltage drop
* High current capability
* High surge capability
* High efficiency
SYMBOL
TO-220-2
TO-277
ORDERING INFORMATION
Package
TO-220-2
TO-277
Pin Assignment
1
2
3
A
K
-
A
K
A
Packing
Tube
Tape Reel
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
MGBR10V50L-TA2-T
MGBR10V50G-TA2-T
MGBR10V50L-T27-R
MGBR10V50G-T27-R
Note: Pin Assignment: A: Anode, K: Cathode
MARKING INFORMATION
PACKAGE
MARKING
TO-220-2
TO-277
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R601-126.c

MGBR10V50G-TA2-T相似产品对比

MGBR10V50G-TA2-T MGBR10V50 MGBR10V50G-T27-R MGBR10V50L-T27-R MGBR10V50L-TA2-T
描述 MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE - FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 EFFICIENCY - EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
最小击穿电压 50 V - 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V - 0.55 V 0.55 V 0.55 V
JEDEC-95代码 TO-220AC - TO-277 TO-277 TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流 150 A - 150 A 150 A 150 A
元件数量 1 - 1 1 1
相数 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 3 3 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 10 A - 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 50 V - 50 V 50 V 50 V
最大反向电流 500 µA - 500 µA 500 µA 500 µA
反向测试电压 50 V - 50 V 50 V 50 V
表面贴装 NO - YES YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE - FLAT FLAT THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - DUAL DUAL SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2087  2400  1948  1471  2051  39  4  51  53  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved