MOS GATED BARRIER RECTIFIER
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | R-PDSO-F3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
应用 | GENERAL PURPOSE |
外壳连接 | CATHODE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.64 V |
JEDEC-95代码 | TO-277 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 10 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 60 V |
最大反向电流 | 300 µA |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
MGBR10L60L-T27-R | MGBR10L60 | MGBR10L60G-T27-R | |
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描述 | MOS GATED BARRIER RECTIFIER | MOS GATED BARRIER RECTIFIER | MOS GATED BARRIER RECTIFIER |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | R-PDSO-F3 | - | R-PDSO-F3 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
应用 | GENERAL PURPOSE | - | GENERAL PURPOSE |
外壳连接 | CATHODE | - | CATHODE |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.64 V | - | 0.64 V |
JEDEC-95代码 | TO-277 | - | TO-277 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 | - | R-PDSO-F3 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A | - | 150 A |
元件数量 | 1 | - | 1 |
相数 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C | - | -65 °C |
最大输出电流 | 10 A | - | 10 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 60 V | - | 60 V |
最大反向电流 | 300 µA | - | 300 µA |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子形式 | FLAT | - | FLAT |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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