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H5TQ1G63EFR-TEL

产品描述DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
产品类别存储    存储   
文件大小645KB,共33页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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H5TQ1G63EFR-TEL概述

DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

H5TQ1G63EFR-TEL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数96
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度13 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.5 mm
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