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HY51V65160ASLTC-70

产品描述Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
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制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V65160ASLTC-70概述

Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

HY51V65160ASLTC-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数50
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G50
JESD-609代码e6
长度20.95 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HY51V64160A,HY51V65160A
4Mx16, Fast Page mode
2nd Generation
Preliminary
DESCRIPTION
This family is a 64M bit dynamic RAM organized 4,194,304 x 16-bit configuration with Fast Page mode CMOS DRAMs.
Fast Page mode offers high speed of random access memory within the same row. The circuit and process design allow
this device to achieve high performance and low power dissipation. Optional features are access time(60 or 70ns) and
refresh cycle(8K ref. or 4K ref.) and power consumption (Normal or Low power with self refresh). Hyundai’s advanced
circuit design and process technology allow this device to achieve high bandwidth, low power consumption and high
reliability.
FEATURES
Ÿ
Fast page mode operation
Ÿ
Read-modify-write capability
Ÿ
Multi-bit parallel test capability
Ÿ
LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs
Ÿ
/CAS-before-/RAS, /RAS-only, Hidden and
Self refresh capability
Ÿ
Max. Active power dissipation
Speed
50
60
Ÿ
Refresh cycles
Part number
HY51V64160A
1)
HY51V65160A
2)
Refresh
8K
64ms
4K
128ms
Normal
L-part
8K refresh
396mW
324mW
4K refresh
504mW
432mW
Ÿ
JEDEC standard pinout
50-pin plastic TSOP-II (400mil)
Ÿ
Single power supply of 3.3
±
0.3V
Ÿ
Early write or output enable controlled write
Ÿ
Fast access time and cycle time
Speed
50
60
tRAC
50ns
60ns
tCAC
13ns
15ns
tPC
35ns
40ns
1) Normal read / write, /RAS only refresh : 8K cycles / 64ms
/CAS-before-/RAS, Hidden refresh
: 4K cycles / 64ms
2) Normal read / write, /RAS only refresh : 4K cycles / 64ms
/CAS-before-/RAS, Hidden refresh
: 4K cycles / 64ms
ORDERING INFORMATION
Part Name
HY51V64160ATC
HY51V64160ALTC
HY51V64160ASLTC
HY51V65160ATC
HY51V65160ALTC
HY51V65160ASLTC
*SL : Self refresh with low power.
Refresh
8K
8K
8K
4K
4K
4K
Power
Package
50Pin TSOP-II
L-part
*SL-part
50Pin TSOP-II
50Pin TSOP-II
50Pin TSOP-II
L-part
*SL-part
50Pin TSOP-II
50Pin TSOP-II
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai electronics does not assume any responsibility for use of
circuits described. No patent licences are implied
Hyundai Semiconductor
Rev.01 / 9802
1

HY51V65160ASLTC-70相似产品对比

HY51V65160ASLTC-70 HY51V64160ALTC-70 HY51V64160ATC-70 HY51V65160ATC-70 HY51V65160ALTC-70 HY51V64160ASLTC-70
描述 Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
针数 50 50 50 50 50 50
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50
JESD-609代码 e6 e6 e6 e6 e6 e6
长度 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 50 50 50 50 50 50
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
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