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Am29LV200B-150EEB

产品描述2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小222KB,共37页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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Am29LV200B-150EEB概述

2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

Am29LV200B-150EEB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间150 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
备用内存宽度16
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
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